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4月2日。
琅琊镇,滨海大学。
大型学术报告厅内。
一场重磅的新闻布会,正在进行。
上百位媒体记者到场参加,场面极其隆重。
前排座位席上。
坐着许多物理和化学领域的业界大咖、两院院士。
现场主持人,开口道:“女士们,先生们,欢迎出席滨海大学重磅科研成果布会≈ap;学术会议。
滨海大学是一所创建没多久的学校,但我校拥有多位学术大咖。
比如,滨海大学副校长、夏国科学院院士、黎曼猜想证明者——赵玉秀院士。
比如,滨海大学副校长、夏国科学院副院长、诺贝尔物理学奖得主、国家最高科学技术奖得主——李明陌院士。
比如,滨海大学物理学院新任院长、夏国科学院院士、诺贝尔物理学奖得主、国家最高科学技术奖得主——李子华院士。
而就在今天。
李明陌院士、李子华院士,以及滨海大学校长李子奕,将公布最新的科研成果,请大家掌声鼓励!”
话音落下。
现场掌声阵阵,经久不息。
李子华、李明陌、赵玉秀、李子奕,都是滨海李家人,在外界享誉盛名。
就凭几人的咖位。
他们肯定能布让学术界为之轰动的科研成果!
……
接下来。
李明陌率先上台。
他环顾四周,开口道:“众所周知,硅是目前应用最广泛的半导体材料,达到芯片制造所需要的9999999999纯度。
不过,随着芯片小型化展。
硅的短板与市场需求的矛盾也日益突出,例如传导热量性能不佳、空穴迁移率不够高等。
科学界,一直在探索半导体新材料,例如砷化镓、氮化镓、碳化硅、金刚石、氧化锌、氮化铝等。
近段时间,我验证出一种比硅导电导热性能更佳、有望替代硅的材料——立方砷化硼(c-bas)。
通过瞬态反射显微成像测定。
立方砷化硼的高双极性迁移率,达到155o2v1s1。
立方砷化硼的室温下高热导率,达到13oo911k1。
这两个数据,说明立方砷化硼的合成,不需要高温高压,在大尺寸制造方面,可以满足工业需求。
从业界的角度来看。
芯片的散热问题严重阻碍了其运算度。
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